NY8B060D 6 I/O + 12-通道 ADC 8 位 EPROM-Based 單片機
關鍵詞： NY8B060D單片機 EPROM ADC 功能特性 內存結構
NY8B060D 6 I/O + 12-通道 ADC 8 位 EPROM-Based 單片機
1. 概述
NY8B060D是以EPROM作為存儲器的 8 位單片機，專為家電或量測等等的I/O應用設計。采用CMOS制程并同時提供客戶低成本、高性能、及高性價比等顯著優(yōu)勢。NY8B060D核心建立在RISC精簡指令集架構可以很容易地做編程和控制，共有 55 條指令。除了少數(shù)指令需要兩個指令時鐘，大多數(shù)指令都是一個指令時鐘能完成，可以讓用戶輕松地以過程控制完成不同的應用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復雜的應用。
NY8B060D內建高精度五加二通道 12 位ADC模數(shù)轉換器，與高精度電壓比較器，足以應付各種模擬接口的偵測與量測。在 I/O 的資源方面，NY8B060D 有 6 根彈性的雙向 I/O 腳，每個 I/O 腳都有單獨的寄存器控制為輸入或輸出腳。而且每一個 I/O 腳位都能通過控制相關的寄存器達成如上拉或下拉電阻或開漏（Open-Drain）輸出。此外針對紅外線搖控的產品方面，NY8B060D 內置了可選擇頻率的紅外載波發(fā)射口。
NY8B060D 有二組定時器，可用系統(tǒng)時鐘當作一般的計時應用或者從外部訊號觸發(fā)來計數(shù)。另外 NY8B060D 提供 3組 10 位的 PWM 輸出，1 組蜂鳴器輸出，可用來驅動馬達、LED、或蜂鳴器等等。NY8B060D 采用雙時鐘機制，高速振蕩時鐘或者低速振蕩時鐘都由內部 RC 振蕩或外部晶振輸入。在雙時鐘機制下，NY8B060D 可選擇多種工作模式如正常模式（Normal）、慢速模式（Slow mode）、待機模式（Standby mode）與眠模式（Halt mode），可節(jié)省電力消耗，延長電池壽命。在省電的模式下，如待機模式（Standby mode）與睡眠模式（Halt mode）中，有多個中斷源可以觸發(fā)來喚醒 NY8B060D進入正常模式（Normal mode）或慢速模式（Slow mode）來處理突發(fā)事件。
1.1 功能
? 寬廣的工作電壓：
? 2.0V ~ 5.5V @系統(tǒng)時鐘 ≦8MHz。
? 2.2V ~ 5.5V @系統(tǒng)時鐘 >8MHz。
? 寬廣的工作溫度：-40°C ~ 85°C。
? 1Kx14 位的程序存儲器空間（EPROM）。
? 64 字節(jié)的通用數(shù)據(jù)存儲器空間（SRAM）。
? 6 根可分別單獨控制輸入輸出方向的I/O腳（GPIO）、PA[5,4,2]、PB[3,2,1]。
? PA[5,4,2] 及 PB[3,2,1]可選擇輸入時使用內部下拉電阻。
? PA[5,4,2] 及 PB[3,2,1]可選擇輸入時使用上拉電阻。
? PB[3,2,1]可選擇開漏輸出（Open-Drain）。
? PA[5]可選擇當作輸入或開漏輸出（Open-Drain）。
? 所有I/O腳輸出可選擇一般灌電流（Normal Sink Current）或大灌電流（Large Sink Current）。
? 8 級深度硬件堆棧（Stack）。
? 存取數(shù)據(jù)有直接或間接尋址模式。
? 一組 8 位上數(shù)定時器（Timer0）包含可編程的預分頻器。
? 一組 10 位下數(shù)定時器（Timer1）可選自動重載或連續(xù)下數(shù)計時。
? 三個 10 位的脈沖寬度調變輸出（PWM1、2、3）。
? 一個蜂鳴器輸出（BZ1）。
? 38/57KHz紅外線載波（IR）頻率可供選擇，同時載波之極性也可以通過寄存器選擇。
? 內置準確的低電壓偵測電路（LVD）。
? 內置五加二通道 12 位ADC模數(shù)轉換器（Analog to Digital Converter）。
? 內置精準的電壓比較器（Voltage Comparator）。
? 內置上電復位電路（POR）。
? 內置低壓復位功能（LVR）。
? 內置看門狗計時（WDT），可由配置字節(jié)（Configuration Word）控制開/關。
? 內置電阻/頻率轉換器（RFC）功能。
? 雙時鐘機制，系統(tǒng)時鐘可以隨時切換高速振蕩或者低速振蕩。
? 高速振蕩時鐘： I_HRC（1~20MHz內部高速RC振蕩）
? 低速振蕩時鐘： I_LRC（內部 32KHz低速RC振蕩）
? 四種工作模式可隨系統(tǒng)需求調整電流消耗：正常模式（Normal mode）、慢速模式（Slow mode）、待機模式
（Standby mode）與睡眠模式（Halt mode）。
? 七種硬件中斷：
? Timer0 上溢中斷。
? Timer1 下溢中斷。
? WDT中斷。
? PA/PB輸入狀態(tài)改變中斷。
? 一組外部中斷。
? 低電壓偵測中斷。
? ADC模數(shù)轉換完成中斷。
? NY8B060D在待機模式（Standby mode）下的七種喚醒中斷：
? Timer0 上溢中斷。
? Timer1 下溢中斷。
? WDT中斷。
? PA/PB輸入狀態(tài)改變中斷。
? 一組外部中斷。
? 低電壓偵測中斷。
? ADC模數(shù)轉換完成中斷。
? NY8B060D在睡眠模式（Halt mode）下的三種喚醒中斷：
? WDT中斷。
? PA/PB輸入狀態(tài)改變中斷。
? 一組外部中斷。
1.2 NY8B060D 與 NY8B062E、NY8B062D 的主要差異
1.3 系統(tǒng)框圖
2. 內存結構 NY8B060D存儲器分為兩類：分別是程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
2.1 程序存儲器 NY8B060D程序存儲器空間是 1Kx14 位。因此，10 位寬的程序計數(shù)器（PC）可以訪問程序存儲器的任何地址。 復位地址位于 0x000，軟件中斷地址位于 0x001，內部和外部硬件中斷地址位于 0x008。 NY8B060D提供LCALL和LGOTO指令訪問程序空間的任何地址。 當發(fā)生子程序調用或中斷情況時，下一個ROM地址寫入堆棧的頂部。而當執(zhí)行RET、RETIA或RETIE指令，堆棧 頂部的數(shù)據(jù)會被讀取并加載到程序計數(shù)器。 NY8B060D程序存儲器地址 0x3FE~0x3FF是保留地址。如果用戶在這些地址寫入程序可能會發(fā)生無法預期的程序 執(zhí)行錯誤。
NY8A060D程序存儲器地址 0x00E~0x00F是Preset Rolling Code地址。如果用戶在不設置滾碼時可當作程序區(qū)使 用。
2.2 數(shù)據(jù)存儲器
根據(jù)用于存取數(shù)據(jù)存儲器的指令，數(shù)據(jù)存儲器可分為三類：R-page特殊功能寄存器（SFR）和通用寄存器（GPR）、F-page特殊功能寄存器、S-page特殊功能寄存器。GPR是由SRAM組成，用戶可以使用它們來存儲變量或計算結果。R-page特殊功能寄存器和數(shù)據(jù)存儲器分為四組Bank，可通過數(shù)據(jù)指針寄存器（FSR）來切換Bank。寄存器BK[1:0]為STATUS[7:6]，可從四個Bank中選擇其中一個。R-page特殊功能寄存器和數(shù)據(jù)存儲器可用直接尋址方式和間接尋址方式來進行存取。數(shù)據(jù)存儲器使用間接尋址方式如下圖所描述，這種間接尋址方式包含使用INDF寄存器。Bank選擇是由STATUS[7:6]決定，地址選擇則是由FSR[6:0]而定。
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