臺積電產能吃緊 三星得州2nm廠加速布局

由于競爭對手臺積電的產能極度緊繃，韓國半導體大廠三星電子加速擴大在美代工布局。 據得州泰勒市議會文件，其位于當地的半導體園區第二座晶圓廠（Fab 2）已進入監管審查與前期籌備階段，顯示三星正強化北美生產據點，戰略布局邁入新階段。

泰勒市議會日前無異議全票通過修正案，延長與美國HDR工程公司的合作合約，確保市政府能持續為三星第二座晶圓廠，提供開發許可與建筑規范審查等關鍵支持。 HDR 工程公司將負責監督設計圖則審查及協助核發建筑許可，一旦相關法律程序完備，Fab 2 的主體工程將立即破土動工。

這座規劃中的廠房占地面積高達270萬平方英尺，規模與建設中的第一座廠房（Fab 1）相當，反映出三星對市場需求的強大信心。

三星在泰勒市的投資計劃已展現出龐大的規模與潛力。 該園區總面積廣達1,268英畝，長期規劃最高可容納多達10座先進晶圓廠。 目前，三星已將總投資額上調至370億美元，其中包括來自美國《芯片與科學法案》約47.5億美元的官方補貼。

技術方面，園區將聚焦于高性能計算（HPC）與車用電子，全面導入三星最尖端的2nm（2-nanometer）制程技術，目前已成功鎖定包括Google、AMD在內的多達121家潛在客戶。

此外，正處于緊密籌備階段的第一座廠房（Fab 1）預計于2027年啟動量產。 此量產時程與三星、特斯拉（Tesla）價值 165 億美元的戰略合作緊密連結，該廠將專門生產特斯拉新一代 AI5 與 AI6 芯片。

隨著馬斯克預告AI5芯片將于2027年年中量產，三星得州園區將成為支撐未來AI運算力與電動車科技演進的重要戰略核心。