存儲巨頭，萬億投資落地中國

全球AI浪潮推動存儲需求爆發，韓國兩大存儲巨頭三星電子與SK海力士也同步加大了中國核心生產基地投資，希望通過合計超1.5萬億韓元(約78億元人民幣)的投資，提升工藝，優化產能，鞏固企業全球優勢的同時，也對接中國高端存儲的需求。

三星電子將投資重點放在西安工廠——其唯一海外NAND生產基地，承擔三星全球NAND產能的40%以上，也是全球單個產能最高的NAND閃存工廠。據韓國金融監督院近日發布的數據顯示，2024年重啟對華投資后，三星投入持續加碼，2025年向西安工廠投資4654億韓元（約21.4億元人民幣），較上年的2778億韓元同比增長67.5%。

此次投資核心是推進工藝迭代，將主力制程從128層（第六代）NAND升級至236層（第八代）NAND，同時啟動X2產線向280層V9 NAND轉換，計劃2026年二季度落地。得益于2026年美國商務部設備進口年度許可，三星有效規避審批風險，升級后西安工廠將聚焦AI服務器、企業級SSD等高附加值產品，成為其全球高端NAND核心基地。

SK海力士采取無錫DRAM、大連NAND雙基地并行升級策略，2025年對華投資超1萬億韓元，為2022年收購英特爾大連工廠后首次萬億級大規模投入。其中，無錫工廠獲5810億韓元投資，同比增長102%，已完成1z工藝（第三代10nm級）向1a工藝（第四代）升級，90%產能完成轉換，可量產DDR5、LPDDR5X等高規格產品，該工廠承擔SK海力士全球30%至40%的DRAM產能，升級后成為高端DRAM核心基地，優先保障AI數據中心需求。

大連NAND工廠投資4406億韓元，增長52%，新增資金主要用于產能升級與技術研發，聚焦高端存儲芯片生產以匹配AI、數據中心需求，正推進321層第九代NAND產線轉換。針對EUV設備限制，SK海力士采用“分段制造”策略，將關鍵光刻步驟放在韓國本土完成，再將晶圓運回無錫進行后續工序，破解技術管制難題。

雙巨頭加碼中國工廠，核心驅動力源于AI技術演進推動高性能存儲需求激增，2026年全球DRAM與NAND計劃產量近乎售罄。中國作為全球最大存儲芯片消費市場，2025年規模達4580億元人民幣，同比增長7.3%，AI基礎設施投資持續加碼，供需缺口顯著。

瑞銀證券預測，2026年全球半導體市場規模將同比增長超40%至1萬億美元，這一增長主要受存儲漲價驅動，中國市場潛力成為巨頭布局的重要支撐。

戰略層面，業內人士指出，出于保護核心技術的考慮，海外工廠工藝通常較韓國本土落后約兩代，但此次兩大巨頭直接切入第八代、第九代先進制程，既規避本土擴產風險，又能快速響應亞太市場需求。同時，中國擁有完整半導體產業鏈，可實現“本地化生產供應”，縮短交付周期，疊加產業扶持政策，為投資提供穩定預期。

展望未來，2026年二季度將是投資關鍵節點，三星西安X2產線、SK海力士先進NAND產線轉換將逐步落地，全年持續推進設備導入與產能爬坡。在AI浪潮與產業鏈重構驅動下，兩大巨頭的中國布局，將推動中國成為全球半導體產業重要增長引擎與創新中心。