三星宣布2030年量產(chǎn)1nm 與臺積電角逐下一代工藝主導權

三星晶圓代工再次杠上臺積電（2330）。外電報導，三星率先喊出2030年前1nm制程到位并進入量產(chǎn)階段，成為業(yè)界首家揭露1nm生產(chǎn)節(jié)點計劃的廠商，與臺積電爭奪話語權。

相較之下，臺積電尚未公布1nm生產(chǎn)藍圖。對于三星搶先揭露1nm相關時程，至昨（31）日截稿前，臺積電沒有進一步評論。

臺積電目前對外公布的最先進制程技術發(fā)展計劃，是邁入「埃米時代」的下一代先進邏輯制程A14（1.4nm），預計2028年生產(chǎn)。

臺積電強調(diào)，A14制程技術旨在透過提供更快的運算和更好的能源效率，來推動AI轉(zhuǎn)型，亦有望透過增進裝置端AI功能來強化智能手機功能，使其更加智能。

臺積電先前指出，A14制程技術截至目前開發(fā)進展順利，良率表現(xiàn)優(yōu)于預期進度，搭載超級電軌技術（SPR）的版本計劃于2029年推出。

此外，臺積電隸屬于2nm家族A16制程計劃2026年下半年量產(chǎn)。 A16是臺積電邁入埃米制程的第一站，先前業(yè)界傳出，OpenAI自家ASIC芯片由博通、邁威爾（Marvell）等美商合作開發(fā)，并在臺積電3nm與A16制程投片生產(chǎn)。

臺積電投入A16與更先進的A14制程研發(fā)之際，外電報導，三星積極追趕，傳出已訂下「2030年導入1nm制程」的遠大目標，與臺積電正面交鋒，搶攻1nm時代主導權。

韓媒《BusinessKorea》報導，產(chǎn)業(yè)人士透露，三星晶圓代工部門已規(guī)劃于2030年前完成1nm制程研發(fā)，并進入量產(chǎn)階段。由于1nm制程的電晶體密度是2nm的兩倍，制程難度明顯升高，被視為芯片微縮技術的重要里程碑。

報導指出，為了突破制程微縮的物理極限，三星1nm制程的主力架構將從現(xiàn)行「環(huán)繞式閘極（GAA）」轉(zhuǎn)移至「叉型片（fork sheet）」結構，透過在nm片之間加入絕緣層，進一步提升電晶體密度，達到改善功耗及效能的目標。

韓媒先前報導，由于AI對高階芯片需求殷切，三星持續(xù)加碼研發(fā)與資本支出，2025年投入總額已達90.4兆韓元，2026年將再增加22%，顯示三星急欲追趕甚至超越競爭對手，在AI芯片與高頻寬記憶體（HBM）等新興領域搶占更多話語權。

三星亦同步優(yōu)化現(xiàn)有先進制程，積極爭取重量級客戶訂單。產(chǎn)業(yè)人士指出，三星已開發(fā)客制化2nm制程「SF2T」，主供特斯拉次世代AI芯片AI6，預計2027年于三星德州新廠量產(chǎn)。