ASML定調2027產能翻倍：EUV光刻機不再是掣肘

近日，全球半導體設備巨頭ASML（阿斯麥）在第一季度財報電話會議上釋放了強烈的市場信號。面對人工智能（AI）引爆的芯片需求狂潮，ASML正式確立了“產能倍增”戰略，明確表示將消除EUV光刻設備可能成為行業瓶頸的隱憂。

ASML首席執行官克里斯托夫·富凱（Christophe Fouquet）在會上定調：ASML將通過產能擴張與技術迭代的雙重引擎，確保半導體供應鏈的穩定性。

作為全球唯一的EUV光刻機供應商，ASML的產能直接決定了全球先進制程芯片的供給上限。富凱在會議上給出了明確的產能路線圖：ASML計劃在2026年將低數值孔徑（Low-NA）EUV系統的出貨量提升至至少60臺，并在此基礎上進一步發力，目標在2027年將這一數字提升至至少80臺。

這一數據相較于2025年的44臺出貨量實現了翻倍增長，直接回應了市場對“設備短缺”的焦慮。富凱強調，公司并不認為其工具會成為制約半導體行業發展的瓶頸，ASML擁有多種手段，可通過與客戶的密切合作來確保穩定的供應。

支撐這一激進擴產計劃的底氣，來自于供應鏈韌性的顯著增強。ASML首席財務官羅杰·達森（Roger Dassen）透露，此前困擾行業的零部件短缺問題——尤其是與卡爾蔡司（Zeiss）光學元件供應相關的挑戰——已得到有效解決。目前，ASML的生產目標已明確為每年90套Low-NA EUV系統和600套深紫外（DUV）系統。為了保持靈活性，公司不僅加強了產能和庫存水平，還在荷蘭總部附近購置了新土地，為未來的工廠擴建做好了準備。

在現有設備的優化上，ASML旗艦機型NXE:3800E的制造工藝得到改進，生產周期縮短，組裝和測試速度加快。更關鍵的是，設備生產效率（Throughput）得到實質性提升，晶圓吞吐量已從每小時220片提升至230片。這意味著，客戶無需增加昂貴的設備采購數量，僅通過現有產線的效率升級，也可以獲得額外產能。

ASML披露了更為詳盡的產品路線圖，展示了其在光刻技術上的長期野心：

·Low-NA EUV路線：ASML計劃在2027年推出NXE:3800F，吞吐量超過260片/小時；2029年推出NXE:4200G，吞吐量突破300片/小時；并計劃在2031年推出NXE:4200H，實現每小時330片的驚人速度。

·High-NA EUV路線：面向2nm及以下（A16）制程的NXE:5200C將于2027年面世，吞吐量在160至190片/小時之間；2029年推出EXE:5200D，主要面向A14制程，量為大于等于175片/小時或195片/小時；2031年推出EXE:5400E，面向A10及以下制程，量為大于等于180片/小時或210片/小時。

ASML指出，High-NA技術不僅能提供更高的分辨率，還能顯著簡化制造流程。據DRAM和邏輯客戶的反饋，采用High-NA技術后，所需的掩模版數量可從3張減少到1張，工藝步驟更是從100步大幅壓縮至10步。

光刻膠合作伙伴的研究顯示，High-NA EUV已具備擴展至邏輯芯片18nm線寬/間距、存儲芯片28nm接觸孔尺寸的能力。這意味著，盡管High-NA設備單價高昂，但其在掩模版成本、工藝復雜度和良率控制上的優勢，將為2nm及以下制程的量產提供極高的經濟價值。