意法半導體新MOSFET提高能效，最大限度降低開關功率損耗

STPOWER MDmesh K6 新系列超級結晶體管改進多個關鍵參數，最大限度減少系統功率損耗，特別適合基于反激式拓撲的照明應用，例如， LED 驅動器、HID 燈，還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。

意法半導體800V STPOWER MDmesh K6系列，為這種超級結晶體管技術樹立了高性能和易用性兼備的標桿。MDmesh K6 的RDS(on) x 面積參數在市場上現有800V產品中處于領先水平，能夠實現緊湊的集高功率密度與市場領先的能效于一身新的新設計。

此外，K6 系列的閾壓比上一代MDmesh K5更低，可使用更低的電壓驅動，從而降低功耗并提高能效，主要用于零功耗待機應用。總柵極電荷 (Qg) 也非常低，可以實現高開關速度和低損耗。

芯片上集成一個 ESD 保護二極管，將 MOSFET 的整體魯棒性提高到人體模型 (HBM) 2 級。

意大利固態照明創新企業TCI(www.tcisaronno.net）的首席技術官、研發經理 Luca Colombo 表示:“我們已經測評了新的超結超高壓MDmesh K6 系列的樣片，并注意到其出色的Rdson* 面積和總柵極電荷 (Qg) 性能特點，給我們印象深刻。”

采用 TO-220 通孔封裝的STP80N240K6 (RDS(on)max = 0.22?, Qgtyp = 25.9nC)是首批量產的MDmesh K6 MOSFET，ST eSTore網上商店現已提供免費樣片。DPAK 和 TO-220FP 版本將于 2022 年 1 月前量產。訂購1000 件，單價1.013 美元起。

意法半導體將于 2022 年前推出MDmesh K6 的完整產品組合，將導通電阻RDS(on)范圍從 0.22Ω擴大到 4.5Ω，并增加一系列封裝選項，包括 SMD 和通孔外殼。