國際IDM率先將車用MOSFET、IGBT遷至12英寸產線

2月21日消息，國際IDM正率先將將高利潤的汽車MOSFET和IGBT功率模塊生產從8英寸遷移至12英寸，以提高其在該領域的競爭力。

《電子時報》援引該人士稱，日本東芝半導體最近宣布計劃投資1,000億日元（合8.694億美元），擴大其12英寸汽車電源模塊fab產能。英飛凌和AOS也大膽采用12英寸晶圓產能內部生產高端汽車MOSFET和IGBT功率芯片解決方案，具有高毛利率和技術門檻。

在將生產重點轉向汽車電源模塊的同時，IDM們也在削減用于IT應用的MOSFET的產量，導致消費級MOSFET短缺，并促使客戶將訂單轉向中國臺灣的供應商。消息人士稱，后者都在加強SGT MOSFET的生產，以滿足商用筆記本電腦和臺式電腦的訂單。

與國際IDM不同，這些廠商仍然依賴于8英寸產線生產IT用MOSFET，大部分采用0.18um、0.13um、0.11um以及90nm制程。但消息人士指出，8英寸持續收緊的供應能力將成為影響這些廠商出貨量的主要因素之一。