竊取600項DRAM工藝，三星前工程師泄露核心技術被判7年，被罰2億韓元

國際電子商情28日訊 據韓媒報道， 韓國首爾中央地方法院近日對一起半導體技術泄露案作出一審判決。一名56歲的三星電子前工程師全某，因向中國半導體企業泄露核心芯片制造技術，違反韓國《產業技術保護法》，被判處有期徒刑7年，并處罰金2億韓元（約合92.38萬元人民幣）。

法院審理查明，全某竊取并泄露了三星電子同步動態隨機存取存儲器（DRAM）制造過程中約600個詳細工藝步驟。涉案技術為三星電子投入約1.6萬億韓元（約合73.9億元人民幣）研發資金、歷時五年全球率先研發出的10納米級DRAM最新工藝。全某在從三星電子離職后，跳槽至一家中國半導體企業，并在此過程中主要通過手寫筆記的方式，將上述關鍵技術信息泄露給中方。

檢方指控顯示，全某以提供涉案技術信息為代價，在近6年時間里從該中國半導體企業累計獲利29億韓元（約合1339.5萬元人民幣），其中包括合同獎勵3億韓元、價值3億韓元的認股權等。法院在最終量刑時，將該工程師案發時在三星的薪酬偏低情況，列為了減刑考量因素。

法院認定，被泄露的技術屬于韓國“國家核心技術”，全某的行為嚴重損害了三星電子的核心競爭力，也給韓國半導體產業安全造成了重大影響，其泄露行為讓競爭對手獲得了技術先發優勢。

此案是去年年底韓國檢方對10名三星前員工提起公訴的商業竊密系列案中的首起有罪宣判。事實上，三星電子并非首次遭遇類似技術泄密事件。2025年，韓國方面曾拘留3名前三星員工，其中包括一名高管，原因是他們涉嫌將三星18納米DRAM存儲芯片技術泄露給競爭對手。相關報道曾估算，此類技術外泄事件僅2025年就可能已導致三星遭受高達5萬億韓元（約合230.95億元人民幣）的銷售損失，未來數年仍可能繼續造成數萬億韓元級別的潛在影響。

與此同時，技術泄露事件也存在反向案例。2024年，一名在中國工作的韓國籍工程師A某，因涉嫌向韓國泄露中國國內存儲芯片機密，被中國警方逮捕。據悉，A某也曾是三星電子芯片部門員工，自2016年起先后在多家中國芯片企業任職。

當前全球存儲芯片市場格局正在發生變化。惠普、華碩、戴爾等頭部終端廠商，正考慮向中國存儲企業采購內存產品。核心原因是主流DRAM廠商均集中產能，優先生產AI加速器所需的HBM產品，通用內存出現了明顯供應缺口。