散熱設計不良為何會導致 MOSFET 過熱失效？
在電源、BMS、車載電子、電機驅(qū)動等應用中，MDD辰達半導體的 MOSFET 常年工作在大電流、高頻、高環(huán)境溫度條件下。很多現(xiàn)場失效案例中，MOSFET 本身參數(shù)選型并不低，但仍然頻繁燒毀，最終溯源發(fā)現(xiàn)，根本原因并非器件質(zhì)量，而是散熱設計不良。
散熱問題往往是“隱性故障”，短期測試可能正常，但在長期運行或高溫環(huán)境下極易暴露。
深圳辰達半導體有限公司
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二極管導通電壓過高對效率的影響及優(yōu)化方案
在現(xiàn)代電子電路中，二極管被廣泛應用于整流、電源管理、保護電路等領域。二極管的導通電壓（V_f）是其一個重要參數(shù)，它決定了電流通過二極管時的電壓降。如果二極管的導通電壓過高，它將直接影響電路的效率，尤其在電源設計和電能轉(zhuǎn)換應用中，功率損失和效率的損害尤為顯著。本文MDD辰達半導體將探討二極管導通電壓過高對電路效率的影響，并提出優(yōu)化解決方案，以提高電路的性能。 -
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關于0.42mΩ超低導通電阻MOSFET的市場應用與挑戰(zhàn)
在電源管理系統(tǒng)和高效電池管理系統(tǒng)（BMS）設計中，MOSFET作為開關元件，扮演著重要角色。由于其導通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產(chǎn)生，因此低導通電阻的MOSFET成為越來越多高效系統(tǒng)設計的優(yōu)選。然而，在實際市場中，是否真的存在0.42mΩ的超低導通電阻MOSFET？本文MDD將探討這種超低導通電阻MOSFET的市場應用、優(yōu)勢及其面臨的挑戰(zhàn)。 -
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如何判斷MDDESD二極管的熱失效與修復
MDD辰達半導體ESD二極管的熱失效通常與其長時間在過電流和高溫環(huán)境中工作相關。在過電壓、過電流的脈沖作用下，二極管的溫度可能迅速升高，超過其最大工作溫度，從而導致熱失效。這不僅會導致二極管的性能下降，還可能導致二極管的永久性損壞。為了確保電路的可靠性，MDDFAE工程師需要掌握如何快速診斷ESD二極管的熱失效并采取相應的修復措施。 -
TVS二極管的雪崩測試：原理、步驟與常見問題
TVS二極管（瞬態(tài)電壓抑制二極管）廣泛應用于電路中保護敏感元器件免受瞬時過電壓和浪涌電流的損害。為了確保TVS二極管能夠在電路中穩(wěn)定有效地發(fā)揮保護作用，雪崩測試（Avalanche Testing）是評估其可靠性和性能的重要步驟。雪崩測試能夠模擬電壓過載、浪涌等瞬態(tài)現(xiàn)象，檢測二極管在高電壓下的擊穿能力及其恢復特性。本文將介紹MDD辰達半導體的TVS二極管的雪崩測試的原理、步驟及常見問題，幫助FAE工程師更好地理解和應對相關挑戰(zhàn)。 -
如何判斷二極管的熱失效情況
在電子產(chǎn)品的設計和應用中，二極管作為關鍵的辰達半導體元件，廣泛應用于整流、保護、開關等各種電路中。然而，由于二極管的工作條件（如電流、溫度和功率）可能超過其額定值，容易導致熱失效。二極管的熱失效是指由于溫度過高而引起的性能下降或結(jié)構(gòu)破壞。如何判斷 MDD辰達半導體 二極管是否因熱失效而導致故障，是每個FAE工程師需要掌握的技能。本文將介紹常見的二極管熱失效判斷方法以及應對策略。 -
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快速定位MOS故障的常見方法與解決方案
在電路設計和應用中，MDD的MOS晶體管是重要的開關元件。當MOS晶體管出現(xiàn)故障時，可能會導致系統(tǒng)無法正常工作，甚至引發(fā)損壞。對于MDD FAE工程師來說，快速定位和修復MOS故障是確保系統(tǒng)穩(wěn)定運行的關鍵。本文MDD將探討常見的MOS故障類型、故障排查方法以及相應的修復方案。